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　　凈化工程具體工藝對溫度的要求各有不同，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細(xì)，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。

　　例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有士0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這種凈化工程不宜超過25度。

　　凈化工程濕度過高產(chǎn)生的問題更多，相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)較佳溫度范圍為35—45%。

　　另外相對濕度有一系列可能使凈化工程總體表現(xiàn)下降的因素，其中包括：細(xì)菌生長、工作人員感到室溫舒適的范圍出現(xiàn)靜電荷、金屬腐蝕、水汽冷凝、光刻的退化等。

　　因此濕度控制是凈化工程生產(chǎn)必需具備的重要條件，相對濕度是凈化工程、潔凈室運(yùn)作過程中一個常用的環(huán)境控制條件。凈化工程中的典型的相對濕度的目標(biāo)值大約控制在30至50%的范圍內(nèi)，允許誤差在士1%的狹窄的范圍內(nèi)。