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　　在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100um的硅片，溫度上升1度，就引起了0。24um線性膨脹，所以必須有±0。1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間不宜超過25度。濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。

　　然而對于大部分凈化工程，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力(靜壓)高于外部的壓力(靜壓)。凈化工程對壓力差的維持一般應符合以下原則：

　　1、潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。

　　2、相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間。

　　3、凈化工程昂當中潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄(或滲透)風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。對于亂流潔凈室由于主要靠空氣的稀釋作用來減輕室內(nèi)污染的程度，所以主要用換氣次數(shù)這一概念，而不直接用速度的概念，不過凈化工程對室內(nèi)氣流速度也有如下要求：

　　1、送風口出口氣流速度不宜太大，和單純空調(diào)房間相比，要求速度衰減更快，擴散角度更大。

　　2、吹過水平面的氣流速度(例如側(cè)送時回流速度)不宜太大，以免吹起表面微粒重返氣流，而造成凈化工程的再污染，這一速度一般不宜大干0。2m/s。