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　　半導體器件極易受到多種污染物的損害。在車間凈化工程中這些污染物可歸納為以下四類。分別是:

　　微粒

　　半導體器件，尤其是在車間凈化工程加工的高密度的集成電路，易受到各種污染的損害。器件對于污染的敏感度取決于較小的特征圖形的尺寸和晶片表面沉積層的薄度。目前的量度尺寸已經(jīng)降到亞微米級。一微米(µm)是非常小的。一厘米等于10000微米。人的頭發(fā)的直徑為100微米。這種非常小的器件尺寸導致器件極易受到由人員，設備和工藝操作用使用的化學品所產(chǎn)生的存在于空氣中的顆粒污染的損害。

　　金屬離子

　　半導體器件在整個晶片上N型和P型的摻雜區(qū)域以及在精確的N/P相鄰區(qū)域，都需要具有可控的電阻率。通過在晶體和晶片上有目的地摻雜特定的摻雜離子來實現(xiàn)對這三個性質的控制。非常少量的摻雜物即可實現(xiàn)我們希望的效果。車間凈化工程公司想說，在晶片中出現(xiàn)的極少量的具有電性的污染物也會改變器件的典型特征，改變它的工作表現(xiàn)和可靠性參數(shù)。

　　細菌

　　細菌是第四類的主要污染物，細菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機物。細菌一旦在器件上形成，會成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望見到的金屬離子。

　　化學品

　　在半導體工藝領域第三大主要的污染物是不需要的化學物質。工藝過程中所用的化學品和水可能會受到對芯片工藝產(chǎn)生影響的痕量物質的污染。它們將導致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件上生成無法除去的化合物，或者引起不均勻的工藝過程。氯就是這樣一種污染物，它在車間凈化工程工藝過程中用到的化學品中的含量受到嚴格的控制。